La cella di memoria è l'elemento fondamentale della memoria del computer. La cella di memoria è un circuito elettronico che memorizza un bit di informazione binaria e deve essere impostato per memorizzare un 1 logico (livello di tensione alto) e resettato per memorizzare uno 0 logico (livello di tensione basso). Il suo valore viene mantenuto/memorizzato finché non viene cambiato dal processo di set/reset. Nella storia dell'informatica sono state usate diverse architetture di celle di memoria, tra cui la memoria a nucleo e la memoria a bolle, ma le più comuni sono i flip-flop e i condensatori.
La SRAM, static ram memory cell è un tipo di circuito flip-flop, solitamente implementato usando i FET. Queste richiedono una potenza molto bassa per mantenere il valore memorizzato quando non vi si accede.
Un secondo tipo, la DRAM è basata su un condensatore. Caricando e scaricando questo condensatore si può memorizzare un '1' o un '0' nella cella. Tuttavia, la carica in questo condensatore si disperde lentamente e deve essere rinfrescata periodicamente. A causa di questo processo di aggiornamento, la DRAM usa più energia, ma può raggiungere densità di memoria maggiori.
La cella di memoria è l'elemento fondamentale della memoria. Può essere implementata usando diverse tecnologie, come i dispositivi bipolari, MOS e altri semiconduttori. Può anche essere costruita da materiale magnetico come nuclei di ferrite o bolle magnetiche.[1] Indipendentemente dalla tecnologia di implementazione utilizzata, lo scopo della cella di memoria binaria è sempre lo stesso. Memorizza un bit di informazione binaria a cui si può accedere leggendo la cella e deve essere impostato per memorizzare un 1 e resettato per memorizzare uno 0